深耕真空镀膜与先进工业制造领域
打造高效、定制化的电源解决方案
深圳市英能电气有限公司（以下简称"英能电气"）成立于2015年，是一家专注于真空镀膜电源研发、生产及销售的高新技术企业。公司始终专注于真空镀膜电源技术的创新突破与产业化应用。公司通过国家高新技术企业认定、ISO9001:2015国际质量体系认证，累计获得发明专利1项、软件著作权及实用新型专利20+项，核心产品通过CE、RoHS等权威认证。
主营产品：中频磁控溅射电源、方波/正弦波中频磁控溅射电源、陶瓷靶电源、PECVD镀膜电源、离子渗电源、离子加速电源、单极性/双极性脉冲偏压电源、单极性脉冲磁控溅射电源、直流偏压电源、直流磁控溅射电源、阳极电源、离子源电源、弧电源、HiPIMS高功率脉冲刺激溅射电源等，涵盖了多个行业领域的核心需求，尤其在薄膜沉积、表面处理等方面取得了显著成就。
英能电气的电源产品产品不仅满足传统行业如真空镀膜、机械、建材等领域的需求，也逐步渗透光伏、光学、半导体、生物医疗、环保等新兴行业的先进应用。
产品展示
一、HiPIMS高功率脉冲磁控溅射电源
应用场景：
硬质与防护涂层；光学镀膜；电子与半导体；生物医学各种科研和工业新工艺研发。
主要特点：
提高离化率，离化率能达到80%以上，提升膜层的致密性；
瞬时功率大，显著提高等离子体密度，提升膜层的均匀性；
导电薄膜（铜、铝）及绝缘层（氧化铝）的沉积，优化器件电学性能；
绕射性优异，提升耐磨性和耐腐蚀性；
参数灵活调整（电压、电流、频率），适配不同材料与工艺需求。
二、MS中频磁控溅射电源
应用场景：
双极性对称磁控溅射靶材、光学镀膜、半导体工艺、太阳能电池与新能源、机械加工与硬质涂层、生物医疗、手机外壳、触摸屏、显示器、钟表、3C等。
主要特点：
增加离化率，膜层致密、光洁度较好；
强大的抑弧功能；
有效抑制靶面异常放电，响应时间＜500ns；
精确调节功率、占空比、电压和电流，调节精度≤1%；
可靠性高，电源效率≥90%。
三、BS方波中频磁控溅射电源
应用场景：
双极性对称磁控溅射靶材、光学镀膜、半导体工艺、太阳能电池与新能源、机械加工与硬质涂层、生物医疗、手机外壳、触摸屏、显示器、钟表、3C等。
主要特点：
具备普通中频磁控溅射电源所有功能；
镀膜速度提升20%以上，镀膜质量及均匀性均有所上升，色差更小，亮度优于普通中频电源；
针对不同靶材灵活设定频率，帮助客户最优化定制抑弧性能、膜层性能、沉积速率；
平衡靶材溅射速率，延长生产周期，节省靶材成本。还可以实现共溅射功能，溅射不同靶材；
超宽的阻抗匹配范围，适合更多种类靶材，工艺窗口更宽；支持金属、合金、半导体、陶瓷等多种靶材，尤其适合直流溅射易中毒的绝缘材料（如Al₂O₃、SiO₂等）；
精确调节功率、占空比、电压和电流，调节精度≤1%；
全球最领先半导体级抑弧性能。
四、SMS正弦波中频磁控溅射电源
应用场景：
双极性对称磁控溅射靶材、光学镀膜、半导体工艺、太阳能电池与新能源、机械加工与硬质涂层、生物医疗、手机外壳、触摸屏、显示器、钟表、3C等。
主要特点：
具备普通中频电源所有功能；
镀膜质量及均匀性均有所上升；
输出正弦波畸变率<1%，减少高频电磁干扰，提升等离子体均匀性；
无脉冲尖峰，避免靶材局部过热，延长靶材寿命 20%-25%；
平衡靶材溅射速率，延长生产周期，节省靶材成本。还可以实现共溅射功能，溅射不同靶材；
超宽的阻抗匹配范围，适合更多种类靶材，工艺窗口更宽；
全球最领先半导体级抑弧性能；
精确调节功率、占空比、电压和电流，调节精度≤1%。
五、MSC陶瓷靶电源
应用场景：
半导体与显示面板；光电领域和装饰性涂层；电子器件和耐磨涂层；高温薄膜。
绝缘靶材：氧化物陶瓷靶材、氮化物陶瓷靶材、碳化物陶瓷靶材、硼化物陶瓷靶材。
主要特点：
薄膜高度均匀，沉积速率快；
脉冲调制减少靶材热损伤，避免裂纹；
抑制电弧能力强，提升工艺稳定性；
克服陶瓷表面电荷积累，维持稳定溅射；
可靠性高，稳定性强，电源效率≥90%；
精确调节功率、占空比、电压和电流，调节精度≤1%。
六、LPM单极性脉冲磁控溅射电源
应用场景：
金属、合金、石墨、导电陶瓷或金属化合物等靶材；金属膜、碳膜和部分氧化物；氮化物及碳化物膜；工具与机械部件涂层；电子与半导体器件；光学与光电材料；新能源与储能领域。
主要特点：
电弧反应灵敏，提高镀膜效率、降低成本；
有效改善靶面电荷积累现象，减少溅射靶表面的打火次数；
提高膜层均匀性和质量，电源效率≥90%；
精确调节功率、电压或电流，调节精度≤1%。
七、LDP单极性脉冲偏压电源
应用场景：
多弧离子、磁过滤电弧离子、直流磁控溅射、中频磁控等镀膜工艺；被镀工件表面的辉光放电清洗或刻蚀；镀膜前的离子轰击；镀膜时的离子加速；等离子体化学气相沉积。
主要特点：
改善膜层质量，提高膜层均匀性；
具有效率高、运行稳定等优点，电源效率≥90%；
增加膜层与基体结合力，提高沉积速率；
强大的抑弧功能，有效抑制靶面异常放电；
改变沉积规则，调整膜层颜色；
精确调节功率、电压或电流，调节精度≤1%。
八、TDP单极性脉冲分档偏压电源
应用场景：
多弧离子、磁过滤电弧离子、直流磁控溅射、中频磁控等镀膜工艺；被镀工件表面的辉光放电清洗或刻蚀；镀膜前的离子轰击；镀膜时的离子加速；等离子体化学气相沉积。
主要特点：
改善膜层质量，提高膜层均匀性；
具有效率高、运行稳定等优点，电源效率≥90%；
增加膜层与基体结合力，提高沉积速率；
强大的抑弧功能，有效抑制靶面异常放电；
改变沉积规则，调整膜层颜色；
精确调节功率、电压或电流，调节精度≤1%。
九、PECVD镀膜电源
半导体器件（如氮化硅/氧化硅薄膜）、太阳能光伏（PERC电池钝化层）、光学镀膜、柔性显示、集成电路(IC)封装等。
主要特点：
改善膜层质量，提高膜层均匀性；
具有效率高、运行稳定等优点，电源效率≥90%；
通过优化电源设计，提高镀膜速率和能源利用率；
模块化结构设计，安装维修方便，节省空间；
功率稳定，确保等离子体的均匀性和薄膜质量；
精确调节功率、电压或电流，调节精度≤1%。
十、LIP离子渗电源
应用场景：
离子渗氮、渗碳、碳氮共渗；工业热处理（机械制造、汽车与航天）；半导体与光伏；新材料研发。
主要特点：
脉冲输出方式，脉冲宽度可以在较大范围内连续可调；
增强离子化效率，形成更加致密和均匀的氮化层；
对离子渗的工作温度进行精确控制，提高渗氮层的质量；
强大的抑弧功能，响应时间＜500ns；
采用开关逆变技术，体积小、效率高、重量轻、操作控制简便；
精确调节功率、频率、占空比，电压和电流，调节精度≤1%。
十一、LIA离子加速电源
应用场景：
科研、医疗；工业及航天领域。
主要特点：
脉冲输出方式，脉冲宽度可以在较大范围内连续可调；
光纤通讯，提高电源安全性，系统抗干扰能力强；
电弧防护快速动态响应，响应时间＜500ns；
采用开关逆变技术，体积小、效率高、重量轻、操作控制简便；
精确调节功率、频率、占空比，电压和电流，调节精度≤1%。
十二、BP双极性脉冲偏压电源
应用场景：
多弧离子、磁过滤电弧离子、直流磁控溅射、中频磁控等镀膜工艺；被镀工件表面的辉光放电清洗；镀膜前的离子轰击；镀膜时的离子加速。
主要特点：
改善膜层质量，提高膜层均匀性；
具有效率高、运行稳定等优点；
增加膜层与基体结合力，提高沉积速率；
主动释放工件异常电荷积累，有效抑制工件表面异常放电；
改变沉积规则，调整膜层颜色。
十三、DB直流偏压电源
应用场景：
多弧离子、磁过滤电弧离子、直流磁控溅射、中频磁控等镀膜工艺；被镀工件表面的辉光放电清洗；镀膜前的离子轰击；镀膜时的离子加速。
主要特点：
改善膜层质量，提高膜层均匀性；
具有效率高、运行稳定等优点；
增加膜层与基体结合力，提高沉积速率；
强大的抑弧功能，有效抑制工件表面异常放电；
改变沉积规则，调整膜层颜色。
十四、ADP阳极电源
应用场景：
高品质要求装饰、五金及工、量、模具等的镀膜辅助离子清洗。
主要特点：
有效利用高能离子，辅助清洗工件，提高结合力；
提供硬度高、抗腐蚀、耐磨损镀膜；
镀膜质量稳定，膜层致密、均匀，与底层结合好。
十五、DI离子源电源
应用场景：
利用离子源进行表面处理；真空镀膜前清洗或镀膜过程辅助沉积 ；半导体制造；新能源与医疗；多元化的研究和产品运用。
主要特点：
具有效率高、运行稳定等优点，电源效率≥90%；
提升气体离化率及活化度，与金属离子高效结合；
电压电流调整范围大，稳定性高，调节精度≤1%；
强大的抑弧功能，有效抑制异常放电。
十六、DM直流磁控溅射电源
应用场景：
工具及金属镀膜；汽车及装饰镀膜；金属手机外壳镀膜；太阳能电池；半导体制造；光学镀膜。
主要特点：
采用高频逆变方式及先进的IGBT功率模块，电源效率≥90%；
高效率与高沉积速率，对电网干扰小；
膜层质量优异，膜层致密、附着力强;
输出稳定，精度高，强大的抑弧功能，响应时间＜500ns。
十七、DA弧电源
应用场景：
高品质要求装饰、五金及工、量、模具等的镀膜；
金属、复合膜；新能源与半导体制造；
医疗器械；军工与航天行业。
主要特点：
无源触点引弧方式，电弧反应灵敏，稳弧效果好；
提供硬度高、抗腐蚀、耐磨损镀膜；
镀膜质量稳定，膜层致密、均匀，与底层结合好；
精确调节功率、电压、电流、占空比，调节精度≤1%。
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