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德国 CCR ICP 射频离子源

艺术品信息

在后氧化溅射工艺中，可从根源杜绝靶中毒，将镀膜速度提升3~5倍。
每层原子都能充分参与反应，成膜质量更高。
无需拼接，条形离子源单个尺寸可达2m以上，均匀性更高。
超过85%的射频传输效率，离化率可达到90%以上。
基片无温升效应，几乎没有热量损耗。
无需配备中和器。

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